击穿电压论文
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等离子显示放电单元的电路模型和电容
一、等离子体显示屏放电单元的电路模型和电容(论文文献综述)张祥良[1](2021)在《等离子体击穿受载煤体的电学响应及致裂增渗机理研究》文中研究表明我国瓦斯(煤层气)资源储量丰... -
SOI MOSFET传输特性的深饱和研究
一、SOIMOSFET转移特性中的深度饱和现象研究(论文文献综述)刘人华[1](2021)在《纳米片环栅场效应晶体管(NS-GAAFET)电热特性及建模研究》文中研究表明随着集...