一、Quantum Monte Carlo Methods for Strongly Correlated Electron Systems(论文文献综述)
张新营,刘滨,付鹏,盛洁[1](2021)在《电子加速器驱动次临界系统的靶物理设计及耦合计算》文中研究说明为避免ADS所存在的技术及成本问题,考虑电子加速器驱动次临界系统的技术路线。利用加速器产生的高速电子通过韧致辐射作用产生高能光子,高能光子与靶材料发生光核反应产生外源中子来驱动次临界系统。为了系统地研究eADS的综合性能,论文设计了韧致辐射靶和光核反应靶,建立整个耦合系统模型,用于电子、光子和中子耦合的堆芯物理计算。计算结果显示:90 MeV能量以内的电子与靶作用,均能产生较高的热中子通量,并可用于驱动次临界堆芯的持续裂变反应;驱动eADS所需的电子流强在几毫安以内,在技术上也可实现,因此认为eADS具有较高的可行性。
付扬,李国龙,徐凯,唐晓东[2](2021)在《基于多源融合理论的机床圆度误差测量不确定度评定》文中提出圆度误差是评价机床加工精度的重要指标。为实现机床圆度误差测量不确定度的评定,对基于球杆仪测量的机床圆度误差的贡献因素及不确定度评定方法进行研究。首先,采用最小二乘法(least sqaure method,LSM)对圆度误差进行评定。然后,基于黑箱理论提出了多源融合误差测量不确定度评定方法。接着,根据球杆仪测量机床圆度误差的基本原理,建立了机床圆度误差测量不确定度评定模型。最后,利用球杆仪对某加工中心ZX平面的圆度误差进行多组重复测量实验,采用所提出的方法对圆度误差测量不确定度进行计算,并与基于蒙特卡罗法(Monte Carlo method,MCM)的计算结果进行对比验证。结果表明,基于所提出方法和MCM的机床圆度误差测量不确定度的评定结果分别为1.190 0和1.160 0μm,两者的相对偏差约为2.5%,由此验证了所提出方法的可行性。所提出方法规避了繁杂的输入量与输出量之间函数关系的求解过程,简化了机床圆度误差测量不确定度的评定过程,具有较强的实用性。
刘斌[3](2021)在《双杂化密度泛函方法研究过渡金属掺杂硅锗团簇TMXn(TM=Cu,Ag,Au;X=Si,Ge)的结构和性质》文中认为随着纳米技术的发展,团簇已成为很多科学领域的研究热点。过渡金属掺杂半导体团簇因其独特的物理化学性质而备受关注。理论研究过渡金属掺杂半导体团簇的稳定结构和电子特性,可为进一步的实验研究和实际应用提供必要的理论指导。论文采用ABCluster全局搜索结合双杂化密度泛函方案研究了中性、阴离子、阳离子TMXn0/-/+(TM=Cu、Ag、Au,X=Si,Ge;n=1-13)团簇的基态结构及演变规律,计算了它们的绝热电子亲合能(AEA)、垂直电子解离能(VDE)、电离势(IP)、平均键能(Eb)和HOMO-LUMO能隙,模拟了光电子能谱(PES)并与之实验PES进行比较,并进行自然布局分析。在mPW2PLYP/aug-cc-pVTZ//mPW2PLY/cc-pVTZ水平上计算了CuSin0/-/+和CuGen+(n=1-13)团簇的结构和性质,结果表明:(1)CuSin0/-/+(n=1-13)团簇的演化规律为:当n≤11时,中性和阴离子团簇为取代构型,而阳离子团簇为吸附构型;当n=12时,CuSin0/-/+团簇形成最小尺寸的笼型结构;CuGen+(n=1-13)团簇的基态构型在n=9时,从吸附构型过渡为笼型结构。(2)CuSin0/-/+(n=1-13)团簇的平均键能Eb小于纯Sin+10/-/+团簇的Eb值,表明掺杂铜原子使得纯硅团簇的稳定性降低;CuGen+(n=1-8)团簇的Eb值小于纯Ge+n+1(n=1-8)团簇的Eb值,而笼型结构CuGen+(n=9-13)的Eb值大于纯锗团簇的Eb值。(3)电离能分析表明,在纯Sin和Gen团簇中掺杂Cu原子,使其电离势降低。(4)自然电荷布局分析表明,笼型结构中铜原子充当电子受体。(5)满足超原子电子层结构的CuGe+10不仅具有良好的热力学稳定性,而且具有较好的化学稳定性,可作为功能材料的基元。在mPW2PLYP/aug-cc-pVTZ(Si,Ge),aug-cc-pVTZ-PP(Ag)//mPW2PLY/cc-pVTZ-(Ge),cc-pVTZ-PP(Ge,Ag)水平上计算了AgSin0/-/+和AgGen0/-/+(n=1-13)团簇结构和性质,结果表明:(1)AgSin0/-/+(n=1-13)团簇的基态构型为吸附构型;AgGen0/-/+(n=1-13)团簇的基态构型为:当n≤11时,团簇为吸附构型;中性和阴离子团簇在n=12时出现笼型结构,阳离子团簇在n=13时为笼型结构。(2)AgSin0/-/+和AgGen0/-/+(n=1-13)团簇的Eb值分别小于纯Sin+10/-/+团簇和纯Gen+10/-/+团簇的Eb值,表明掺杂银原子使得硅团簇和锗团簇的稳定性降低。(3)电离势分析表明,在纯Sin和Gen团簇中掺杂Ag原子使其电离势降低。(4)自然电荷布局分析表明,AgSin0/-/+和AgGen0/-/+(n=1-13)团簇中Ag原子的4d电子不参与成键。笼型结构的银原子充当电子受体。在mPW2PLYP/aug-cc-pVTZ(Si,Ge),aug-cc-pVTZ-PP(Au)//mPW2PLY/cc-pVTZ-(Ge),cc-pVTZ-PP(Ge,Au)水平上计算了AuSin0/-/+和AuGen0/-/+(n=1-13)团簇结构和性质,结果表明:(1)AuSin0/-/+(n=1-13)团簇的基态构型为吸附构型;AuGen0/-/+(n=1-13)团簇在n≤10时的基态构型为吸附构型;当n≥11时,中性和阳离子团簇为笼型结构;阴离子团簇只有n=12时为笼型结构。(2)AuSin0/-/+和AuGen0/-/+(n=3-13)团簇的Eb值分别小于纯Sin+10/-/+团簇和纯Gen+10/-/+团簇的Eb值,表明掺杂金原子使得硅团簇和锗团簇的稳定性降低。(3)电离势分析表明,在纯Sin和Gen团簇中掺杂Au原子使其电离势降低。(4)与Cu、Ag原子掺杂硅团簇相比:AuSin团簇热力学稳定性最好。与Cu、Ag原子掺杂锗团簇相比:当n=1-8时,AuGen团簇具有最好的热力学稳定性;当n≥9时,CuGen团簇的热力学稳定性最好。
薛萌萌[4](2021)在《硅烯基异质结光电子材料与器件的理论研究》文中研究指明
刘永强[5](2021)在《二维系统自旋和能谷二极管效应及热输运调控研究》文中认为
李光超[6](2021)在《分子筛限域孔道中活性位分布及其吸附诱变机制的研究》文中研究指明分子筛是一种非常重要的固体酸催化剂,在石油化工、生物医药、环境保护等方面都有非常广泛的应用。为了提高分子筛的催化活性,在过去几十年中研究者们对分子筛在包括合成和改性方面展开了大量深入研究。虽然目前对于分子筛的整体骨架类型、孔道结构、元素组成等方面的基础研究已经非常广泛并且也取得了许多非常有意义的结果,但是人们对分子筛局部酸中心结构、酸位点分布以及反应分子与活性位相互作用等方面的理解仍缺乏足够的认识,而这直接制约着对分子筛催化反应机理的深刻理解和分子筛结构性能的进一步优化改性。因此是分子筛基础研究领域亟待解决的重要科学问题。本论文采用固体核磁共振技术结合同步辐射X射线衍射,中子衍射等多种表征方法和理论计算对工业常用的H-ZSM-5和H-SAPO-34等分子筛酸中心结构进行了表征研究。主要内容有以下三个方面:(1)采用三甲基氧膦(trimethylphosphine oxide,TMPO)作为探针分子表征了几类工业H-ZSM-5分子筛催化剂可接近的Br(?)nsted酸位点分布。基于同步辐射X射线衍射技术和中子衍射技术的结构精修,将TMPO分子在H-ZSM-5分子筛孔道中的吸附分布进行三维可视化重构,通过对键长,键角的拟合获得TMPO分子具体准确的吸附构型。研究发现对于H-ZSM-5(Si/Al=25)分子筛,TMPO分子主要吸附在直孔道的T8位(T8-O(H)-T7),交叉孔道中的T12位(T12-O(H)-T3)和T6位(T6-O(H)-T9)。此外对于同批次不同硅铝比的H-ZSM-5分子筛(Si/Al=16,60,100),同样发现TMPO分子仍倾向优先吸附在这三个特定位点上,从而确定了该类工业H-ZSM-5分子筛中可接近Br(?)nsted酸位点的具体位置。(2)在确定了H-ZSM-5分子筛上Br(?)nsted酸位点具体分布的基础上,结合固体核磁和理论计算研究了吸附分子溶剂化效应对H-ZSM-5表观酸强度的影响,揭示了两种不同的溶剂化作用机制:极性溶剂效应和非极性溶剂化效应。固体核磁结果显示当硝基甲烷溶剂分子与丙酮探针共吸附时,H-ZSM-5的表观酸强度具有明显的增强(吸附丙酮分子的羰基13C化学位移变大),并随着硝基甲烷浓度的增加H-ZSM-5表观酸强度增强的效果更显着。理论计算发现表观酸性增强的原因是硝基甲烷中的硝基与丙酮的甲基形成的静电作用增强了丙酮羰基氧的碱性,从而对分子筛酸性质子具有更强的吸引力。因此,极性溶剂化作用机制主要来自于极性分子中强吸电子基的诱导极化作用。此外,进一步研究了 H-ZSM-5分子筛上的非极性溶剂化效应。固体NMR实验发现丙酮和萘/苯共吸附后分子筛表观酸强度也得到明显增强,理论计算表明萘/苯分子中的大π键与丙酮分子中的甲基形成的静电作用诱导了丙酮羰基氧原子的碱性增强,促进了 Br(?)nsted酸质子的转移,从而产生类似极性溶剂化效应的效果。非极性溶剂化作用机制主要来源于分子筛限域孔道中的共吸附物种之间的CH/π相互作用。(3)采用固体核磁,同步辐射X射线衍射和中子衍射等多种表征手段证实了丙酮在SAPO分子筛中除了吸附在传统Br(?)nsted酸位点(Si-OH-Al)上外,还能够直接吸附在骨架Al原子上,从而诱导骨架Al-O键的断裂形成受阻Lewis酸碱对(FLP)结构(骨架Al原子作为路易斯酸,Si-OH作为路易斯碱)。新生成的FLP结构能够在室温下有效促进分子筛表面甲醇到烷氧物种的发生。18O/160标记甲醇的原位漫反射红外实验表明,在甲醇脱水形成表面烷氧过程中甲醇的C-O键未发生断裂,产物水分子中的氧原子来源于分子筛骨架中的Si-OH而不是来源于传统观点中的甲醇分子。理论计算进一步证实了 SAPO分子筛中吸附诱导FLP结构形成的微观机制,阐明了在SAPO分子筛上基于FLP路线的甲醇脱水到表面烷氧的全新反应路径。
刘士炜[7](2020)在《激光场中粒子碰撞的经典轨道动力学研究》文中认为自α粒子散射实验成功地揭示了“原子核式结构”以来,粒子碰撞逐渐成为人类认识与探索物质运动规律、相互作用以及它们的内部结构的重要思想与主要途径之一。在原子分子物理学中,人们主要是通过粒子碰撞进而研究原子分子的电离以及激发等的性质;在凝聚态物理学中则主要是利用电子衍射,中子衍射以及X射线晶体衍射等手段来获取晶体等的内部状态;而在高能物理领域,粒子碰撞也是人们用来探索与发现基本粒子组成的重要工具。近年来随着激光技术的飞速发展,特别是从上世纪八十年代的啁啾脉冲放大技术的产生与发展使得激光场所对应的电场可以轻易地与原子核对电子的库仑作用相比拟,如此强的激光场将会对粒子碰撞产生巨大的影响。一方面激光场的存在将影响电子或其他粒子与原子碰撞电离的散射截面;另一方面在激光与原子分子等的相互作用中,激光场驱动电子再碰撞过程产生的高次谐波等现象促进了阿秒科学等的快速发展。此外,激光辅助的核反应过程也是当前研究的主要热点问题。随着实验技术上的不断推陈致新,越来越多的新奇的物理现象需要理论研究来解释与描述。然而以量子力学为基础的理论方法在涉及多个粒子相互作用的多体计算中寸步难行,从牛顿力学规律出发的经典轨道蒙特卡罗方法由于其自身特点在多体计算中也有着诸多不足。因此,发展更为完善的理论计算方法用以描述实验观测现象背后的物理机制已是当前研究的重中之重。本文着眼于建立与改进经典轨道蒙特卡罗方法,围绕粒子碰撞的电离问题进行了一系列的有趣探索。我们致力于研究激光场中电子与原子碰撞、正电子与原子碰撞、原子本身电离电子的再碰撞以及氘氚核子的碰撞过程中的一些现象,其主要内容包括:一、我们通过利用两个Gaussian波包之间的平均Coulomb势构建两个电子之间的等效的相互作用势,来建立自旋相关的经典轨道蒙特卡罗方法并用以研究自旋标记电子与氢原子的碰撞过程。我们将模型的数值结果与现有实验数据以及量子力学的基准计算进行比较。对于近阈值能量范围内的电子与氢原子散射系统,我们验证了模型的合理性并系统研究了包括电离截面、自旋不对称度、电子角分布以及电子之间的能量分配等的物理量的相关性质,讨论了有关这些物理量的自旋相关的有趣预测,并给出了相应的典型轨迹。我们还将模型应用于激光辅助的电子与原子的碰撞,并提出了对强度为1011W/cm2的激光场进行电离自旋不对称度的有趣操控。我们期望该方法可以为多电子原子中的多重电离以及自旋依赖的激光辅助电离提供直观而可行的理论基础。二、通过改进经典轨道蒙特卡罗方法来研究正电子与氢原子碰撞的碎裂动力学过程,该方法是在传统的经典轨道模型的基础上引入Heisenberg势的量子修正。我们通过数值计算来澄清先前实验与理论中对着名的Wannier阈值定律指数的争议,得到的结果与量子力学计算类似。我们提出了一种用以研究逃逸电子和正电子的角分布和能量分配的关联谱,来可视化逃逸粒子能量分配的高度不平衡方式并与电子-氢原子碰撞系统的均匀的能量共享方式形成鲜明对比。通过分析不同碎裂通道的正电子和电子空间分布的快照图,我们区分了碎裂过程中的前向散射和背向散射发生的不同机理,我们还研究了激光辅助的正电子与氢原子碰撞,结果表明即使使用峰值强度低至1011W/cm2的激光脉冲,也可以有效调制各种通道的转变。三、通过改进的经典轨道蒙特卡罗方法研究激光与锂原子相互作用的三重电离。我们获得了锂原子稳定的基态构型的壳层结构并模拟了激光强度在1013W/cm2至1017W/cm2范围内的锂的总电离概率。通过绘制电离后Li3+离子的动量分布图来详细描述了锂原子序列三重电离与非序列三重电离的差异。根据Dalitz图中映射的三电子能量分布来阐释非序列三重电离的三种类型的再碰撞机制并看到了存在清晰的代表(e,3e)电子关联的能量分配方式。四、我们建立了一种半经典方法来研究激光场对氘氚碰撞的聚变截面的影响。我们将氘氚碰撞相对运动Hamilton量区分为三个不同区域,并对不同的区域分别进行处理。首先利用经典轨道模拟方法获得激光场中氘氚碰撞过程的最小相对距离,并将其近似地看成氘氚碰撞Coulomb势垒隧穿的转变点,然后通过Wentzel-Kramers-Brillouin方法描述隧穿过程,最后通过隧穿率获得相应的聚变截面。我们的结果表明强激光场通过“平均抖动”效应增大原子核的碰撞能量而显着增强Coulomb势垒贯穿来有效地改善聚变截面的主要机制。在本文最后我们总结了全文的研究内容,并对经典轨道蒙特卡罗方法的深入应用做了展望。
金汇可[8](2020)在《量子自旋系统的理论和数值研究》文中研究说明量子自旋系统在凝聚态物理学中占据重要的地位,为研究量子多体物理提供了很好的平台。本论文研究若干量子自旋系统的基态和低能激发,讨论了量子自旋系统中的阻挫磁性、投影构造、严格解、张量网络态、隐含的对称性等等问题。本文的第一部分研究了三维hyperkagome晶格上的J1-J2-J3反铁磁海森堡模型的阻挫磁性。在经典极限下,我们提出了“hyperkagome三角形规则”和“孤立三角形规则”,并应用这两个规则得到了某些参数极限下的严格经典基态;我们还通过经典蒙特卡罗模拟发现所有可能的经典基态,并得到整个经典相图。在量子区域,我们用Schwinger玻色子理论研究可能存在的量子自旋液体态和长程磁有序态:通过投影对称群的分析,发现在J1-J2-J3海森堡模型中只存在两类量子有序态满足hyperkagome晶格的P4132对称性。描述这两类量子序的平均场分别称为:零通量拟设和π通量拟设。它们可以用hyperkagome晶格上的10格点闭环的规范不变通量加以区分。在不同条件下,这两类量子有序态都能得到量子自旋液态和长程磁有序态。我们得到了自洽的平均场相图,并讨论了如何用自旋谱函数S(q,ω)的特征来区分这些量子有序态。本文的第二部分研究了二维砖墙晶格上的严格可解的S=1/2自旋模型。该模型的每个晶胞由三个S=1/2自旋组成,是一个原生的莫特绝缘体。该模型的基态是代数量子自旋液体,基态之上是具有能隙节点的自旋子激发,激发的色散关系在(0,0)和(0,π)处是线性的。定义在环面上的模型的基态具有三重拓扑简并。通过外加磁场破坏时间反演对称性可以打开一个体能隙,此时Z2涡旋具有非阿贝尔统计性质。在本文的第三部分,我们提出了一种数值计算量子多体波函数的新方法。最近吴英海等人[arXiv:1910.11011]提出了所谓的MPO-MPS方法。该方法可以有效地用张量网络态表示若干类量子多体波函数,特别是Gutzwiller投影费米海态。我们推广MPO-MPS方法,使其可以用于计算Gutzwiller投影的配对费米子态。我们采用了 Bogoliubov准空穴的最大局域化Wannier轨道来优化MPO-MPS方法的计算性能。我们对SO(3)对称的S=1自旋链进行仔细的研究,揭示了该新方法在计算有能隙的态时具有比变分蒙特卡罗更优越的性能;而在计算无能隙态时,其性能和变分蒙特卡罗相当。此外,我们结合MPO-MPS方法和其他基于MPS的精确方法(如切比雪夫MPS方法)来计算自旋谱函数。在本文的第四部分,我们揭示了隐含在S=1量子自旋系统中的SU(2)对称性。这些SU(2)对称性由SU(3)群的SU(2)子群表述。我们构造了SU(2)对称的自旋模型,并给出了模型的半经典基态以及对应的相图。我们发现:由于SU(3)(?)SU(2)× U(1)的对称性分层,如果系统的元激发是flavor wave,则自旋谱函数和自旋四极子谱函数的色散结构是一致的。该现象可以作为探索S=1自旋系统中的八重法的线索。研究还发现:在该模型的AFQ3相中可能存在有效的S=1/2量子自旋液体态,该自旋液体共存于一个有能隙的自旋向列序。通过与量子色动力学的类比,我们发现量子自旋-轨道液态中的流体力学模式的能隙关系满足着名的Gell-Mann-Okubo公式。
张飞云[9](2020)在《基于广义短路比法的含风电电力系统次同步振荡分析及抑制方法研究》文中提出随着风电场装机容量的增大,风力发电系统的随机性和波动性将对系统的稳定性造成影响。大规模风电经电力电子设备接入弱交流系统可能会引起次同步振荡,但是现阶段对多风电场并网系统进行次同步振荡概率稳定性分析存在计算维度高、计算复杂的问题。基于此,本文致力于简化含风电电力系统次同步振荡概率稳定分析过程,并在此基础上,提出了含风电电力系统次同步振荡抑制方法。本文首先建立了基于永磁直驱风电机组的风电场动态模型。模型主要包括风电场模型和直驱风电机组并网模型,为后续分析含风电电力系统次同步振荡奠定基础。其次提出了基于广义短路比指标的含风电次同步振荡的不确定性评估模型。将建立的多风电场并网模型解耦成多个单风电场并网模型。并根据单风电场短路比定义,提出能够反映多风电场并网稳定性的广义短路比指标。围绕广义短路比指标,提出了包括稳定性指标、风险评估指标和概率指标的含风电电力系统次同步振荡的不确定性评估模型。在此基础上,基于拉丁超立方采样法对风速相关性进行建模,并根据尾流效应模型,生成具有相关性的风电场出力。将蒙特卡洛模拟和稳定性评估相结合,提出了含风电电力系统次同步振荡稳定分析方法。然后设计了基于广义短路比概率稳定性评估的附加阻尼控制器。为提高交流电网强度和动态性能,本文在系统锁相环中设计了附加阻尼控制器。通过分析发现,在同一广义短路比的情况下,随着附加阻尼控制器的系数变化,系统最弱阻尼比存在最优值。所以本文引入量子行为粒子群算法,以系统振荡稳定临界广义短路比最小为目标函数,对阻尼系数的最优解进行了求解。最后,本文通过MATLAB编程和时域仿真,对三个风电场并网模型的次同步振荡特性进行了仿真分析。仿真结果表明,本文提出的基于广义短路比法的含风电电力系统次同步振荡概率稳定分析方法和抑制方法能够有效地体现和提高系统的概率稳定性。
王冰[10](2019)在《几种新型二维材料的晶体结构预测及物理性质的理论研究》文中进行了进一步梳理自从二维石墨烯被成功制备出来,二维材料因其独特的物理化学性质以及在光电子领域的潜在应用而受到广泛的关注。例如石墨烯以其优异的载流子迁移率和超高的机械强度而出名;单层二硫化钼具有合适的带隙,在场效应晶体管中可以很好的应用;单层黑磷具备合适的带隙,且具有很高的载流子迁移率,可以被制作成理想的半导体器件。但是它们也有各自的缺点,零带隙的石墨烯无法做成电子器件;二硫化钼作为电子器件的载流子迁移率太低;单层黑磷的环境稳定性太差。这些缺点限制了它们在高性能器件中的应用。因此,寻找和设计具有优异物理化学性质的新型二维材料依然是目前的研究热点之一。随着计算机性能的提高和第一性原理计算方法的发展,从理论上有目的地设计性能优异的功能材料,指导实验上合成具有重要的科学意义。本论文利用密度泛函理论和全局搜索方法,我们理论设计了几种电磁性质优异的二维材料,包括具有超高载流子迁移率的狄拉克材料Be3C2单层、具有良好光吸收的超薄半导体Bi2Te2S和Bi2Te2Se、具有较高居里温度的二维铁磁材料ScCl、MnX(X=P、As)和GdI2单层。主要研究内容包括以下几个方面:(1)二维狄拉克材料Be3C2单层的理论预测。我们结合全局粒子群优化和密度泛函理论方法,成功预测了一种新的稳定的类石墨烯二维狄拉克材料。它就是具有六边形蜂窝结构的Be3C2单层。这个单层材料的狄拉克点恰好出现在费米能级处,且由杂化的Be和C原子的pz轨道组成。这种狄拉克特性表明这个材料具有非常高的电子迁移率。此外,该体系的狄拉克锥在考虑了自旋轨道耦合和外部应变的情况下仍能维持完整的形状,证明此狄拉克锥是非常稳定的。此外,我们通过声子谱计算和分子动力学模拟,确认了Be3C2单层具有良好的热力学和动力学稳定性。Be3C2单层突出的电子性能使其在纳米电子学应用领域具有广阔的前景。(2)一类具有可调带隙和超高的电子迁移率的薄层半导体Bi2Te2S和Bi2Te2Se。高的载流子迁移率和合适的带隙是电子器件应用的两个关键特性。在第一性原理计算的基础上,我们预测了两种具有新颖电子结构和光学性质的超薄二维半导体,即Bi2Te2S和Bi2Te2Se单层。它们具有合适的能带带隙和较高的电子迁移率,而且能够有效地吸收整个入射光谱中的太阳光。它们的带隙随着层数的增加呈现出了指数衰减关系。同时,它们的层间具有相对较低的层间结合能,这使得它们很容易从块体层状结构上机械剥离。通过声子谱计算和从头算分子动力学模拟,我们进一步证实了它们具有良好的动力学稳定性和热力学稳定性。这些优异的的性能使得Bi2Te2X(X=S,Se)单层有望成为未来高速光电子设备的候选材料。(3)理论设计出一种二维高温铁磁金属单层材料。通过综合采用基于密度泛函理论计算和蒙特卡罗模拟方法,我们预测一种稳定的二维氯化钪(ScCl)单层。它具有本征的铁磁性和可以达到185 K的居里温度,此温度远远高于是实验报道的CrI3单层(45 K)和液态氮的沸点(77 K)。少量的空穴掺杂可以诱导其从铁磁金属到半金属的转变。此外,ScCl单层具有良好的热稳定性和动力学稳定性,并具有在实验上从其层状块体结构中剥离的可行性。这些有趣的电子结构和本征磁性使ScCl单层在自旋电子应用中成为一个有希望的候选者。(4)具有室温居里温度的一类二维Mn基铁磁半金属材料的理论预测。目前报道的二维铁磁材料的居里温度较低且磁各向异性能较小,极大地限制了它们的应用范围。本文中我们通过密度泛函理论计算,预测了一系列稳定的二维MnX(X=P,As,Sb)单层,其中MnP和MnAs单层呈现固有铁磁有序,且每Mn原子具有166和281?eV的较大磁各向异性能。更有趣的是,二维MnP和MnAs单层展示了理想的半金属性,其自旋间隙约为3 eV。蒙特卡罗模拟表明MnP和MnAs单层具有较高的居里温度,其大小分别为495 K和711 K。同时,我们也提出了一种利用选择性化学蚀刻法制备MnX单层的可行实验合成路线。MnP和MnAs单层的优异特性将极大地拓宽二维磁性材料在自旋电子器件中应用。(5)二维本征近室温铁磁半导体GdI2单层的理论预测。在第一原理计算的基础上,我们预测了一种新型二维铁磁半导体:GdI2单层。该单层具有接近室温的居里温度、高的自旋极化、大磁矩和大磁各向异性能(MAE)的强铁磁序。直接交换和超交换相互作用的共存导致其磁性耦合的增强并使其居里温度提高到241 K,这超过了人们研究最多的稀释磁性半导体材料(Ca,Mn)As居里温度的记录。有趣的是,这个单层也显示出非常理想的双极磁性半导体特性(BMS)与适当的自旋带隙(1.21 eV)。此外,在外加应变和载流子掺杂作用下,铁磁态是非常稳固的,其居里温度在这种外加扰动下也得到了很好的保持。同时,该二维晶体具有良好的动力学稳定性和热稳定性,且其层状范德瓦尔斯铁磁体易于实验从其块体层状块体中制备。这种近室温居里温度铁磁有序材料和半导体特性的共存的特性使GdI2单层成为自旋电子学应用中一个有前途的候选材料。
二、Quantum Monte Carlo Methods for Strongly Correlated Electron Systems(论文开题报告)
(1)论文研究背景及目的
此处内容要求:
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景,再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题,并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例:
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
(2)本文研究方法
调查法:该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法:用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法:通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法:通过调查文献来获得资料,从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法:依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法:对研究对象进行“质”的方面的研究,这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法:通过具体的数字,使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法:运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法:这是社会科学用来分析社会现象的一种方法,从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法:通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、Quantum Monte Carlo Methods for Strongly Correlated Electron Systems(论文提纲范文)
(1)电子加速器驱动次临界系统的靶物理设计及耦合计算(论文提纲范文)
1 计算方法和程序 |
2 原理介绍 |
2.1 e ADS原理 |
2.2 韧致辐射原理 |
2.3 光核反应 |
3 电子靶设计 |
3.1 光核数据处理 |
3.2 韧致辐射靶模型设计 |
3.3 光核反应靶设计 |
3.4 进入次临界系统的中子能谱 |
4 次临界系统设计 |
5 次临界系统与电子靶的耦合 |
5.1 堆芯增值性能分析 |
5.2 电子流强分析 |
6 总结 |
(2)基于多源融合理论的机床圆度误差测量不确定度评定(论文提纲范文)
1 圆度误差评定 |
1.1 整圆圆度误差评定模型 |
1.2 非整圆圆度误差评定模型 |
2 多源融合误差测量不确定度评定方法 |
2.1 多源融合误差测量不确定度评定理论 |
2.2 多源融合误差测量不确定度评定模型 |
3 机床圆度误差测量不确定度评定 |
3.1 机床圆度误差不确定度评定体系 |
3.2 机床圆度误差测量不确定度评定模型 |
4 实例验证 |
4.1 机床圆度误差测量及评定结果 |
4.2 机床圆度误差测量不确定度计算 |
4.3 MCM对比验证 |
4.3 不确定度报告 |
5 结论 |
(3)双杂化密度泛函方法研究过渡金属掺杂硅锗团簇TMXn(TM=Cu,Ag,Au;X=Si,Ge)的结构和性质(论文提纲范文)
摘要 |
Abstract |
第一章 绪论 |
1.1 选题背景 |
1.1.1 引言 |
1.1.2 半导体团簇 |
1.2 过渡金属掺杂硅锗团簇的研究进展 |
1.3 主要研究内容 |
第二章 理论基础和计算方法 |
2.1 薛定谔方程与势能面 |
2.2 基于HF方程的方法 |
2.2.1 HF方程 |
2.2.2 后HF方法 |
2.3 密度泛函理论 |
2.3.1 Hohenberg-Kohn定理 |
2.3.2 KS-DFT方程 |
2.3.3 常用的密度泛函方法 |
2.4 基组 |
2.4.1 全电子基组 |
2.4.2 赝势基组 |
2.5 ABCluster全局搜索技术 |
第三章 铜掺杂硅锗团簇的结构和性质研究 |
3.1 引言 |
3.1.1 铜掺杂硅团簇的研究背景 |
3.1.2 铜掺杂锗团簇的研究背景 |
3.2 研究方法 |
3.3 结果与讨论 |
3.3.1 几何构型 |
3.3.2 光电子能谱 |
3.3.3 电子亲合能和电离势 |
3.3.4 相对稳定性 |
3.3.5 轨道分析和电荷转移 |
3.4 本章小结 |
第四章 银掺杂硅锗团簇的结构和性质研究 |
4.1 引言 |
4.1.1 银掺杂锗团簇的研究背景 |
4.1.2 银掺杂硅团簇研究背景 |
4.2 研究方法 |
4.3 结果与讨论 |
4.3.1 几何构型 |
4.3.2 光电子能谱 |
4.3.3 电子亲合能和电离势 |
4.3.4 相对稳定性 |
4.3.5 HOMO-LUMO能隙和硬度 |
4.3.6 电荷转移和局部态密度 |
4.4 本章小结 |
第五章 金掺杂硅锗团簇的结构和性质研究 |
5.1 引言 |
5.1.1 金掺杂锗团簇的研究背景 |
5.1.2 金掺杂硅团簇的研究背景 |
5.2 研究方法 |
5.3 结果与讨论 |
5.3.1 几何构型 |
5.3.2 光电子能谱 |
5.3.3 电子亲和能和电离势 |
5.3.4 相对稳定性 |
5.3.5 基于HOMO-LUMO能隙和DFT描述相关量 |
5.3.6 电荷转移 |
5.4 本章小结 |
结论 |
参考文献 |
致谢 |
博士期间所撰写的论文 |
(6)分子筛限域孔道中活性位分布及其吸附诱变机制的研究(论文提纲范文)
摘要 |
ABSTRACT |
第1章 绪论 |
1.1 引言 |
1.2 分子筛发展历史简介 |
1.2.1 分子筛的基本结构 |
1.2.2 分子筛骨架结构 |
1.2.3 分子筛Al原子在骨架上的分布 |
1.2.4 分子筛的酸性 |
1.3 受阻路易斯酸碱对(FLP) |
1.3.1 FLP的简介及发展 |
1.3.2 FLP在多相反应体系的应用 |
1.4 固体核磁共振技术 |
1.4.1 固体核磁共振简介 |
1.4.2 固体核磁共振中常用方法 |
1.4.2.1 魔角旋转(MAS) |
1.4.2.2 交叉极化(CP) |
1.4.2.3 去耦技术 |
1.4.2.4 二维相关固体NMR谱技术 |
1.4.3 固体核磁共振在分子筛中的应用 |
1.4.3.1 分子筛基本骨架结构的表征 |
1.4.3.3 分子筛酸特性的表征 |
1.5 同步辐射X射线及中子衍射 |
1.5.1 同步辐射X射线及中子衍射简介与发展历程 |
1.5.2 同步辐射X射线及中子衍射在多孔材料中的应用 |
1.5.2.1 分子筛骨架结构的确定 |
1.5.2.2 探针分子在分子筛骨架中的吸附扩散 |
1.5.2.3 金属离子在分子筛中的位置以及对反应的影响 |
1.6 理论计算 |
1.6.1 理论计算计算方法 |
1.6.2 理论计算模型 |
1.6.3 理论计算在分子筛中的应用 |
1.6.3.1 分子筛酸性表征的理论计算 |
1.6.3.2 分子筛上吸附,扩散行为的理论计算 |
1.6.3.3 分子筛上重要反应的理论计算 |
1.7 论文研究目标与主要内容 |
第2章 TMPO探针分子表征H-ZSM-5酸位点分布的研究 |
2.1 引言 |
2.2 实验部分 |
2.2.1 样品制备 |
2.2.2 表征方法 |
2.2.2.1 同步辐射X射线衍射(SXRD) |
2.2.2.2 中子衍射(NPD) |
2.2.2.3 扫描透射电镜(STEM) |
2.2.2.4 理论计算 |
2.3 结果与讨论 |
2.3.1 探针分子表征H-ZSM-5(Si/Al=25)分子筛中BAS的具体位置 |
2.3.2 理论计算及其他硅铝比H-ZSM-5分子筛的Br(?)nsted酸位置的表征 |
2.4 本章小结 |
第3章 分子筛限域孔道中的极性溶剂化效应 |
3.1 引言 |
3.2 实验部分 |
3.2.1 样品制备 |
3.2.2 固体核磁实验 |
3.2.3 理论计算 |
3.2.3.1 密度泛函量子化学计算 |
3.2.3.2 蒙特卡罗方法吸附模拟 |
3.3 结果与讨论 |
3.3.1 分子筛表观酸性的变化 |
3.3.2 丙酮与硝基甲烷在H-ZSM-5孔道中的共吸附结构 |
3.3.3 吸附分子间的主客体相互关系 |
3.3.4 其他反应分子的溶剂化效应 |
3.4 本章小节 |
第4章 分子筛限域孔道中的非极性溶剂化效应 |
4.1 引言 |
4.2 实验部分 |
4.2.1 样品制备 |
4.2.2 固体核磁实验 |
4.2.3 理论计算 |
4.3 结果与讨论 |
4.3.1 萘与丙酮共吸附的固体核磁表征 |
4.3.2 非极性溶剂化作用机制 |
4.3.3 MOR分子筛上的非极性溶剂化效应 |
4.3.4 其他非极性分子的溶剂化效应 |
4.4 本章小结 |
第5章 SAPO分子筛中吸附诱导酸位结构转变的实验和理论研究 |
5.1 引言 |
5.2 实验部分 |
5.2.1 样品制备 |
5.2.2 主要分析方法 |
5.2.2.1 固体NMR实验(SSNMR) |
5.2.2.2 同步辐射X射线衍射(SXRD) |
5.2.2.3 中子衍射(NPD) |
5.2.2.4 原位漫反射红外(in situ DRIFT) |
5.2.2.5 理论计算 |
5.3 结果与讨论 |
5.3.1 丙酮在SAPO分子筛上的吸附行为 |
5.3.2 甲醇在SAPO分子筛上的吸附行为 |
5.3.3 原位漫反射红外及理论计算 |
5.4 本章小结 |
第6章 总结与展望 |
6.1 总结 |
6.2 展望 |
参考文献 |
致谢 |
作者简介及攻读学位期间发表的学术论文与研究成果 |
(7)激光场中粒子碰撞的经典轨道动力学研究(论文提纲范文)
摘要 |
Abstract |
第1章 绪论 |
1.1 粒子碰撞是认识物理世界的重要手段 |
1.1.1 α粒子散射实验及其发展 |
1.1.2 中子散射实验认识晶格结构 |
1.1.3 高能粒子碰撞 |
1.1.4 粒子碰撞的重要应用 |
1.2 粒子碰撞的一些进展 |
1.2.1 具有自旋分辨的粒子碰撞 |
1.2.2 反粒子碰撞 |
1.2.3 激光驱动的粒子碰撞 |
1.3 经典轨道模拟是研究粒子碰撞的重要手段 |
1.3.1 经典轨道蒙特卡罗模拟方法及其改进 |
1.3.2 激光场中粒子碰撞的经典方法 |
1.4 本文的主要研究内容 |
第2章 自旋标记电子与氢原子碰撞及激光场的辅助效应 |
2.1 物理问题描述 |
2.2 自旋相关的经典轨道动力学模型 |
2.2.1 经典方法中的电子间相互作用的交换关联修正 |
2.2.2 自旋标记电子与氢原子系统的哈密顿量 |
2.3 电子与氢原子碰撞的电离截面 |
2.4 电离电子的角度分布与能量分配 |
2.5 激光辅助电子与氢原子的碰撞 |
2.6 本章小结 |
第3章 正电子与氢原子碰撞经典动力学 |
3.1 物理问题描述 |
3.2 正电子与氢原子系统的经典轨道模型 |
3.3 电离截面与Wannier定律 |
3.4 正电子与氢原子碰撞的碎裂动力学过程 |
3.5 激光场对正电子与氢原子碰撞的三体碎裂过程的调制 |
3.6 本章小结 |
第4章 强激光场中电子再碰撞导致的多重电离 |
4.1 再碰撞与多重电离 |
4.2 激光与原子相互作用经典轨道动力学模型 |
4.3 强激光场中锂原子的三重电离 |
4.3.1 锂原子的序列三重电离与非序列三重电离的动量谱比较 |
4.3.2 锂原子发生三重电离的电子的能量分配 |
4.4 本章小结 |
第5章 强激光场中的氘氚离子碰撞 |
5.1 强激光场中的轻核聚变问题概述 |
5.2 外电磁场下氘氚碰撞的半经典理论模型 |
5.3 强激光场对氘氚聚变截面的影响 |
5.3.1 一维模型结果 |
5.3.2 三维模型结果 |
5.4 本章小结 |
第6章 总结与展望 |
6.1 全文总结 |
6.2 展望 |
致谢 |
参考文献 |
附录A 原子单位制 |
附录B 两电子间相互作用的交换关联 |
发表的学术论文与研究成果 |
(8)量子自旋系统的理论和数值研究(论文提纲范文)
致谢 |
摘要 |
Abstract |
1 引言 |
1.1 章节概述 |
2 阻挫晶格中的反铁磁模型:以hyperkagome晶格为例 |
2.1 对称性,晶格和模型哈密顿量 |
2.2 经典极限下的磁序 |
2.2.1 J_(tri)=J_(chain)=0:基态的局域简并度 |
0或/和J_(chain)>0:磁有序态'>2.2.2 J_(tri)>0或/和J_(chain)>0:磁有序态 |
2.2.3 蒙特卡罗模拟和相图 |
2.3 Schwinger玻色子理论 |
2.3.1 Schwinger玻色子表示,大N极限和平均场理论 |
2.3.2 规范结构和PSG |
2.3.3 PSG分析:应用于具有P4_132对称性的玻色型拟设 |
2.3.4 从代数PSG到平均场拟设 |
2.4 Schwinger玻色子平均场理论的结果 |
κ_c:磁有序态'>2.4.1 κ>κ_c:磁有序态 |
2.5 小结 |
3 严格可解的S=1/2自旋模型:原生的莫特绝缘体 |
3.1 模型以及研究方法 |
3.2 拓扑简并度和体内激发 |
3.3 小结 |
4 用张量网络态表示Gutzwiller投影波函数 |
4.1 BdG哈密顿量以及对应的基态 |
4.2 配对费米子态的张量网络表示:MPO-MPS方法 |
4.3 横场XY模型: 检验MPO-MPS方法的基准 |
4.4 具有SO(3)对称性的S=1自旋链 |
4.4.1 费米子理论、试探波函数和自旋谱函数 |
4.4.2 数值结果和分析 |
4.5 小结和讨论 |
5 S=1的量子自旋系统中隐含的SU(2)对称性以及对应的八重法 |
5.1 隐含的SU(2)对称性以及对应的哈密顿量 |
5.1.1 隐含的SU(2)对称性 |
5.1.2 具有SU(2)对称性的哈密顿量 |
5.2 八重法和flavor-wave平均场理论 |
5.2.1 基态 |
5.2.2 低能激发 |
5.2.3 谱函数: 通往八重法的线索 |
5.3 超出平均场理论 |
5.3.1 AFQ3相中的有效哈密顿量:无能隙的S=1/2自旋液体态 |
5.3.2 量子自旋-轨道液体中流体力学模式的能隙关系: 类比于量子色动力学 |
5.4 小结 |
6 总结和展望 |
参考文献 |
附录A |
A.1 Schwinger玻色子平均场理论的自洽方程 |
A.2 空间群P4_132的PSG |
A.2.1 代数PSG解: 晶胞部分 |
A.2.2 代数PSG解: 子晶格部分 |
A.3 零通量拟设: 平均场序参量 |
A.4 自旋结构因子 |
κ_c'>A.5 非公度玻色凝聚波矢K:当κ>κ_c |
附录B |
B.1 切比雪夫MPS法计算自旋谱函数 |
附录C |
C.1 SU(3)李代数的基础 |
C.2 SU(3)结构和隐含的SU(2)对称性 |
C.3 SU(2)_γ对称性和对应的哈密顿量 |
C.4 Flavor-wave平均场理论 |
C.5 谱函数 |
发表文章目录 |
(9)基于广义短路比法的含风电电力系统次同步振荡分析及抑制方法研究(论文提纲范文)
摘要 |
Abstract |
1 绪论 |
1.1 研究背景及意义 |
1.2 国内外研究现状 |
1.2.1 含风电电力系统次同步振荡及其分类 |
1.2.2 含风电的电力系统次同步振荡分析方法 |
1.2.3 含风电的电力系统次同步振荡抑制措施 |
1.3 本文主要工作 |
2 基于永磁直驱风电机组的风电场动态建模 |
2.1 引言 |
2.2 风电场建模 |
2.2.1 尾流效应建模 |
2.2.2 考虑场间相关性风速建模 |
2.3 含直驱风电机组的并网系统建模 |
2.3.1 风电机组并网系统机械部分 |
2.3.2 风电机组并网系统电气部分 |
2.3.3 风电机组并网系统控制部分 |
2.4 本章小结 |
3 基于广义短路比指标的含风电电力系统次同步振荡不确定性评估模型 |
3.1 引言 |
3.2 广义短路比指标 |
3.2.1 单直驱风电场并网数学模型 |
3.2.2 多直驱风电场并网数学模型 |
3.2.3 广义短路比稳定指标定义 |
3.3 基于广义短路比指标的不确定性评估模型 |
3.3.1 稳定性判断指标 |
3.3.2 风险评估指标 |
3.3.3 概率指标 |
3.4 本章小结 |
4 基于广义短路比指标的含风电电力系统的次同步振荡概率稳定分析方法 |
4.1 引言 |
4.2 蒙特卡洛法概念 |
4.2.1 蒙特卡洛模拟法原理 |
4.2.2 蒙特卡洛法的误差分析与终止判据 |
4.3 考虑相关性的风电场随机出力模型 |
4.3.1 场间相关性处理 |
4.3.2 考虑尾流效应的风电场随机出力模型 |
4.4 多直驱风电机组并网的次同步振荡概率稳定分析流程 |
4.5 本章小结 |
5 基于广义短路比概率稳定性评估的含风电电力系统次同步振荡抑制方法 |
5.1 引言 |
5.2 附加阻尼控制器设计 |
5.3 附加阻尼器参数优化设计 |
5.3.1 附加阻尼控制器参数优化模型 |
5.3.2 基于量子行为粒子群算法的附加阻尼参数优化求解方法 |
5.4 本章小结 |
6 仿真算例与分析 |
6.1 考虑尾流效应和风速相关性的含风电电力系统次同步振荡概率稳定性分析 |
6.1.1 仿真条件 |
6.1.2 广义短路比有效性验证 |
6.1.3 含风电电力系统次同步振荡概率稳定性分析 |
6.2 基于附加阻尼控制器的振荡抑制方法有效性验证 |
6.3 本章小结 |
7 总结与展望 |
7.1 总结 |
7.2 展望 |
致谢 |
参考文献 |
(10)几种新型二维材料的晶体结构预测及物理性质的理论研究(论文提纲范文)
摘要 |
Abstract |
第一章 绪论 |
1.1 石墨烯、MoS_2单层和黑磷单层的结构和基本性质 |
1.2 二维铁磁材料的发现 |
1.3 本论文的主要研究内容 |
1.4 参考文献 |
第二章 理论基础与计算方法 |
2.1 两种近似 |
2.1.1 Born-Oppenheimer近似 |
2.1.2 Hartree-Fock近似 |
2.2 密度泛函理论 |
2.2.1 Hohenberg-Kohn定理 |
2.2.2 Kohn-Sham方程 |
2.2.3 交换关联泛函 |
2.3 第一性原理计算软件包 |
2.3.1 CALYPSO程序包和全局搜索方法 |
2.3.2 蒙特卡罗模拟居里温度方法 |
2.4 参考文献 |
第三章 类石墨烯Be_3C_2单层狄拉克材料的理论预测 |
3.1 引言 |
3.2 计算方法 |
3.3 结果与讨论 |
3.3.1 几何结构特征 |
3.3.2 结构化学键特征和稳定性 |
3.3.3 电子结构和Dirac态 |
3.3.4 Dirac态的起源和费米速度 |
3.4 小结 |
3.5 参考文献 |
第四章 具有可调带隙和超高电子迁移率的薄层半导体Bi_2Te_2S和 Bi_2Te_2Se |
4.1 引言 |
4.2 计算方法 |
4.3 结果与讨论 |
4.3.1 结构模型和稳定性 |
4.3.2 电子结构 |
4.3.3 带隙和层数的关系 |
4.3.4 迁移率的计算 |
4.4 小结 |
4.5 参考文献 |
第五章 理论设计出一种二维高温铁磁金属单层材料 |
5.1 引言 |
5.2 模型与计算方法 |
5.3 结果与讨论 |
5.3.1 ScCl单层晶体结构与稳定性 |
5.3.2 磁性和电子结构 |
5.3.3 载流子掺杂和双层性质 |
5.4 小结 |
5.5 参考文献 |
第六章 具有室温居里温度的一类二维Mn基铁磁半金属材料的理论预测 |
6.1 引言 |
6.2 计算方法 |
6.3 结果与讨论 |
6.3.1 晶体结构与电子结构 |
6.3.2 磁性性质 |
6.3.3 磁性的起源和居里温度 |
6.3.4 稳定性和合成方法 |
6.4 小结 |
6.5 参考文献 |
第七章 二维本征近室温铁磁半导体GdI_2单层的理论预测 |
7.1 引言 |
7.2 计算方法 |
7.3 结果与讨论 |
7.3.1 结构与稳定性 |
7.3.2 磁性与电子结构 |
7.3.3 铁磁耦合机制 |
7.3.4 居里温度 |
7.3.5 应力应变对磁性的影响 |
7.4 小结 |
7.5 参考文献 |
第八章 总结与展望 |
致谢 |
攻读博士学位期间已发表和待发表论文 |
四、Quantum Monte Carlo Methods for Strongly Correlated Electron Systems(论文参考文献)
- [1]电子加速器驱动次临界系统的靶物理设计及耦合计算[J]. 张新营,刘滨,付鹏,盛洁. 核科学与工程, 2021(05)
- [2]基于多源融合理论的机床圆度误差测量不确定度评定[J]. 付扬,李国龙,徐凯,唐晓东. 工程设计学报, 2021(03)
- [3]双杂化密度泛函方法研究过渡金属掺杂硅锗团簇TMXn(TM=Cu,Ag,Au;X=Si,Ge)的结构和性质[D]. 刘斌. 内蒙古工业大学, 2021
- [4]硅烯基异质结光电子材料与器件的理论研究[D]. 薛萌萌. 中国矿业大学, 2021
- [5]二维系统自旋和能谷二极管效应及热输运调控研究[D]. 刘永强. 南京邮电大学, 2021
- [6]分子筛限域孔道中活性位分布及其吸附诱变机制的研究[D]. 李光超. 中国科学院大学(中国科学院精密测量科学与技术创新研究院), 2021(01)
- [7]激光场中粒子碰撞的经典轨道动力学研究[D]. 刘士炜. 中国工程物理研究院, 2020(01)
- [8]量子自旋系统的理论和数值研究[D]. 金汇可. 浙江大学, 2020(01)
- [9]基于广义短路比法的含风电电力系统次同步振荡分析及抑制方法研究[D]. 张飞云. 南京理工大学, 2020(01)
- [10]几种新型二维材料的晶体结构预测及物理性质的理论研究[D]. 王冰. 东南大学, 2019